- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/18 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
Détention brevets de la classe H01L 21/18
Brevets de cette classe: 721
Historique des publications depuis 10 ans
|
63
|
49
|
62
|
70
|
58
|
60
|
40
|
51
|
62
|
17
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Soitec | 892 |
63 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
46 |
| EV Group E. Thallner GmbH | 376 |
45 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
37 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
26 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
17 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
17 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
14 |
| Intel Corporation | 45621 |
12 |
| S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | 293 |
11 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
11 |
| Invensas Bonding Technologies, Inc. | 150 |
10 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 155 |
9 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
8 |
| CAES Colorado Springs LLC | 52 |
8 |
| The Regents of the University of California | 18943 |
7 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
7 |
| Massachusetts Institute of Technology | 9795 |
7 |
| 3-5 Power Electronics GmbH | 19 |
7 |
| Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | 185 |
7 |
| Autres propriétaires | 352 |